Comprar C3M0065100J con BYCHPS
Compre con garantía
C3M0065100J
- Número de pieza:
- C3M0065100J
- Fabricante:
- Cree
- Descripción:
- 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13109 Pieces
- Ficha de datos:
- C3M0065100J.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para C3M0065100J, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para C3M0065100J por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| Tecnología: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK-7 |
| Serie: | C3M™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| La disipación de energía (máximo): | 113.5W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | C3M0065100J |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V (1kV) |
| Descripción: | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de C3M0065100J
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | Investigación |
 |
C3M0065090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | Investigación |
 |
FQD17N08LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK | Investigación |
|
C3M0065090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | Investigación |
 |
STP35N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 28A | Investigación |
 |
PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | Investigación |
 |
C3M0065090D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 | Investigación |
 |
C3M0075120K | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4 | Investigación |
 |
PHT6N06T,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers