STD8N60DM2
STD8N60DM2
Número de pieza:
STD8N60DM2
Fabricante:
ST
Descripción:
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17277 Pieces
Ficha de datos:
STD8N60DM2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK
Serie:MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):85W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:497-16930-2
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:STD8N60DM2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:375pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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