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STSJ100NHS3LL
- Número de pieza:
- STSJ100NHS3LL
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14678 Pieces
- Ficha de datos:
- STSJ100NHS3LL.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para STSJ100NHS3LL, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para STSJ100NHS3LL por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC-EP |
| Serie: | STripFET™ III |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.2 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3W (Ta), 70W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | STSJ100NHS3LL |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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