español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTQ26N60P
IXTQ26N60P
IXTQ26N60P
Número de pieza:
IXTQ26N60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13645 Pieces
Ficha de datos:
IXTQ26N60P.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTQ26N60P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTQ26N60P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTQ26N60P con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:PolarHV™
RDS (Max) @Id, Vgs:270 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):460W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTQ26N60P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4150pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:72nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 26A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXTQ26N60P

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXTQ26N50P Image IXTQ26N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P Investigación
IXTQ200N075T Image IXTQ200N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P Investigación
IXTQ250N075T Image IXTQ250N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P Investigación
IXTQ280N055T Image IXTQ280N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P Investigación
IXFX120N30T Image IXFX120N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247 Investigación
IXTQ200N085T Image IXTQ200N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P Investigación
IXTQ230N085T Image IXTQ230N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P Investigación
IXTQ200N10T Image IXTQ200N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P Investigación
IXTQ200N06P Image IXTQ200N06P IXYS MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P Investigación
IXTQ26P20P Image IXTQ26P20P IXYS MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P Investigación
IXTQ22N60P Image IXTQ22N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P Investigación
IXTQ240N055T Image IXTQ240N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P Investigación
2SK3823 Image 2SK3823 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 Investigación
IXTQ28N15P Image IXTQ28N15P IXYS MOSFET N-CH TO-3P Investigación
IXTQ220N075T Image IXTQ220N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P Investigación
IXTQ220N055T Image IXTQ220N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P Investigación
CSD17302Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 87A 8SON Investigación
IXTQ22N50P Image IXTQ22N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P Investigación

Latest Noticias