Comprar IXTQ200N10T con BYCHPS
Compre con garantía
IXTQ200N10T
- Número de pieza:
- IXTQ200N10T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17412 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTQ200N10T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTQ200N10T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTQ200N10T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-3P |
| Serie: | TrenchMV™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 550W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXTQ200N10T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9400pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 152nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXTQ200N10T
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ220N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ240N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ200N06P | IXYS | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ26P20P | IXYS | MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ280N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ220N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P | Investigación |
|
IXTQ28N15P | IXYS | MOSFET N-CH TO-3P | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog