STSJ100NH3LL
Número de pieza:
STSJ100NH3LL
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18677 Pieces
Ficha de datos:
STSJ100NH3LL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC-EP
Serie:STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Ta), 70W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Otros nombres:497-5785-2
STSJ100NH3LL-ND
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STSJ100NH3LL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4450pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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