STI25NM60ND
STI25NM60ND
Número de pieza:
STI25NM60ND
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13818 Pieces
Ficha de datos:
STI25NM60ND.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK
Serie:FDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:160 mOhm @ 10.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):160W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STI25NM60ND
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

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