APT6M100K
Número de pieza:
APT6M100K
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13089 Pieces
Ficha de datos:
1.APT6M100K.pdf2.APT6M100K.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220 [K]
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.5 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):225W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APT6M100K
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1410pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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