SIA469DJ-T1-GE3
SIA469DJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA469DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15825 Pieces
Ficha de datos:
SIA469DJ-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:TrenchFET® Gen III
RDS (Max) @Id, Vgs:26.5 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):15.6W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres:SIA469DJ-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:SIA469DJ-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1020pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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