STH250N55F3-6
STH250N55F3-6
Número de pieza:
STH250N55F3-6
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16901 Pieces
Ficha de datos:
STH250N55F3-6.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:H²PAK
Serie:STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs:2.6 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres:497-11309-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:STH250N55F3-6
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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