IRLR2905TRPBF
Número de pieza:
IRLR2905TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16794 Pieces
Ficha de datos:
IRLR2905TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:27 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):110W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IRLR2905PBFDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRLR2905TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

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