Comprar FQD12N20TM con BYCHPS
Compre con garantía
FQD12N20TM
- Número de pieza:
- FQD12N20TM
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12245 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.FQD12N20TM.pdf2.FQD12N20TM.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FQD12N20TM, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FQD12N20TM por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D-Pak |
| Serie: | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | FQD12N20TM-ND FQD12N20TMFSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FQD12N20TM |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 910pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de FQD12N20TM
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD12N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Investigación |
|
FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Investigación |
|
FQD12N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Investigación |
|
FQD12N20LTM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Investigación |
|
FQD12P10TM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | Investigación |
|
FQD12N20TM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Investigación |
 |
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | Investigación |
 |
SI8407DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP | Investigación |
|
FQD12P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | Investigación |
|
FQD12P10TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog