Comprar FQD12P10TM_F085 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-252, (D-Pak) |
Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 290 mOhm @ 4.7A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | FQD12P10TM_F085-ND FQD12P10TM_F085TR |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | FQD12P10TM_F085 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 100V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |