FQD12N20LTM_F085
FQD12N20LTM_F085
Número de pieza:
FQD12N20LTM_F085
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13959 Pieces
Ficha de datos:
1.FQD12N20LTM_F085.pdf2.FQD12N20LTM_F085.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:Automotive, AEC-Q101, QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:280 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 55W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQD12N20LTM_F085
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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