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SSM6L35FU(TE85L,F)
- Número de pieza:
- SSM6L35FU(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14820 Pieces
- Ficha de datos:
- SSM6L35FU(TE85L,F).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM6L35FU(TE85L,F), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM6L35FU(TE85L,F) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | US6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Potencia - Max: | 200mW |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | SSM6L35FU(TE85LF)DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | SSM6L35FU(TE85L,F) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.5pF @ 3V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 180mA, 100mA |
| Email: | [email protected] |
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