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SSM6L35FE,LM
- Número de pieza:
- SSM6L35FE,LM
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15333 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.SSM6L35FE,LM.pdf2.SSM6L35FE,LM.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM6L35FE,LM, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM6L35FE,LM por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | SSM6L35FE(TE85LF)TR SSM6L35FE(TE85LF)TR-ND SSM6L35FE,LM(B SSM6L35FE,LM(T SSM6L35FELM(TTR SSM6L35FELM(TTR-ND SSM6L35FELMTR SSM6L35FETE85LF |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SSM6L35FE,LM |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.5pF @ 3V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 180mA, 100mA |
| Email: | [email protected] |
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