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SSM6H19NU,LF
- Número de pieza:
- SSM6H19NU,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13915 Pieces
- Ficha de datos:
- SSM6H19NU,LF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SSM6H19NU,LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SSM6H19NU,LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-UDFN (2x2) |
| Serie: | U-MOSVII-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 185 mOhm @ 1A, 8V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | SSM6H19NU,LF(B SSM6H19NU,LF(T SSM6H19NULFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SSM6H19NU,LF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 130pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.2nC @ 4.2V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 40V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 8V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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