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NTD4815N-35G
- Número de pieza:
- NTD4815N-35G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15333 Pieces
- Ficha de datos:
- NTD4815N-35G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTD4815N-35G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTD4815N-35G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I-Pak |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 15 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Otros nombres: | NTD4815N-35G-ND NTD4815N-35GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NTD4815N-35G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 770pF @ 12V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14.1nC @ 11.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 11.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.9A (Ta), 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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