Comprar IRLR9343TRLPBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRLR9343TRLPBF
- Número de pieza:
- IRLR9343TRLPBF
- Descripción:
- MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18994 Pieces
- Ficha de datos:
- IRLR9343TRLPBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRLR9343TRLPBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRLR9343TRLPBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D-Pak |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 79W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | SP001567302 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRLR9343TRLPBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 55V 20A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRLR9343TRLPBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLR9343-701PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | Investigación |
 |
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3 | Investigación |
 |
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | Investigación |
 |
RSH070P05TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 | Investigación |
 |
AOI1N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A | Investigación |
 |
FDN338P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 | Investigación |
|
IRLR9343PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | Investigación |
 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 | Investigación |
 |
NVMFS4C01NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | Investigación |
 |
AOTF11N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO220F | Investigación |
 |
AO4435L_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers