AO4435L_102
AO4435L_102
Número de pieza:
AO4435L_102
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18819 Pieces
Ficha de datos:
AO4435L_102.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 11A, 20V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AO4435L_102
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 10.5A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10.5A (Ta)
Email:[email protected]

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