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BSP135 E6327
- Número de pieza:
- BSP135 E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 12314 Pieces
- Ficha de datos:
- BSP135 E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSP135 E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSP135 E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 94µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | BSP135E6327T SP000011103 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSP135 E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 146pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.9nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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