Comprar EPC8010ENGR con BYCHPS
Compre con garantía
EPC8010ENGR
- Número de pieza:
- EPC8010ENGR
- Fabricante:
- EPC
- Descripción:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16037 Pieces
- Ficha de datos:
- EPC8010ENGR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EPC8010ENGR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EPC8010ENGR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Paquete del dispositivo: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Otros nombres: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | EPC8010ENGR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 55pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.48nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de EPC8010ENGR
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC8010 | EPC | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC8007ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC8005ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | Investigación |
 |
AOL1412 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO | Investigación |
 |
IRF610STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | Investigación |
 |
2SK3746-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2A | Investigación |
 |
NTD60N02R-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | Investigación |
 |
HUFA75329S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | Investigación |
|
EPC8002ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | Investigación |
 |
NDD05N50ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK | Investigación |
|
EPC8009ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | Investigación |
 |
IRF7807APBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | Investigación |
|
EPC8008ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC8009 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC8003ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | Investigación |
 |
EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | Investigación |
|
EPC8004ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog