SQJQ410EL-T1_GE3
Número de pieza:
SQJQ410EL-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16687 Pieces
Ficha de datos:
SQJQ410EL-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® 8 x 8
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:SQJQ410EL-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQJQ410EL-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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