Comprar SQJ431EP-T1_GE3 con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SO-8 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 213 mOhm @ 1A, 4V |
La disipación de energía (máximo): | 83W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SO-8 |
Otros nombres: | SQJ431EP-T1_GE3TR |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | SQJ431EP-T1_GE3 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4355pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
Descripción: | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |