SQA410EJ-T1_GE3
SQA410EJ-T1_GE3
Número de pieza:
SQA410EJ-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14882 Pieces
Ficha de datos:
SQA410EJ-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:28 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):13.6W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres:SQA410EJ-T1-GE3
SQA410EJ-T1-GE3-ND
SQA410EJ-T1_GE3-ND
SQA410EJ-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:SQA410EJ-T1_GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:485pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 7.8A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.8A (Tc)
Email:[email protected]

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