IRFH4201TRPBF
IRFH4201TRPBF
Número de pieza:
IRFH4201TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14458 Pieces
Ficha de datos:
IRFH4201TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.1V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:0.95 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.5W (Ta), 156W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:IRFH4201TRPBFDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFH4201TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6100pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:94nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 49A (Ta) 3.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:49A (Ta)
Email:[email protected]

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