SI6975DQ-T1-E3
Número de pieza:
SI6975DQ-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18415 Pieces
Ficha de datos:
SI6975DQ-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:450mV @ 5mA (Min)
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Potencia - Max:830mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI6975DQ-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.3A
Email:[email protected]

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