Comprar PMCPB5530X,115 con BYCHPS
Compre con garantía
PMCPB5530X,115
- Número de pieza:
- PMCPB5530X,115
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12128 Pieces
- Ficha de datos:
- PMCPB5530X,115.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para PMCPB5530X,115, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para PMCPB5530X,115 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | DFN2020-6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 34 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 490mW |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | 1727-1327-6 568-10754-6 568-10754-6-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | PMCPB5530X,115 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 21.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.3A, 3.4A 490mW Surface Mount DFN2020-6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.3A, 3.4A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PMCPB5530X,115
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
BSM180D12P3C007 | Rohm Semiconductor | SIC POWER MODULE | Investigación |
 |
BSS84AKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 | Investigación |
 |
SI4943BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC | Investigación |
 |
ECH8659-M-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 | Investigación |
 |
AO8803 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 12V 7A 8TSSOP | Investigación |
 |
SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | Investigación |
 |
FDW2507NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP | Investigación |
 |
APTM50H14FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 | Investigación |
|
SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | Investigación |
 |
APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | Investigación |
 |
IRF7324PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog