SI5509DC-T1-GE3
SI5509DC-T1-GE3
Número de pieza:
SI5509DC-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14564 Pieces
Ficha de datos:
SI5509DC-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:52 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max:4.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI5509DC-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:455pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.6nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.1A, 4.8A
Email:[email protected]

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