IRF7389TRPBF
IRF7389TRPBF
Número de pieza:
IRF7389TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17306 Pieces
Ficha de datos:
IRF7389TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:29 mOhm @ 5.8A, 10V
Potencia - Max:2.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:IRF7389PBFTR
IRF7389TRPBF-ND
IRF7389TRPBFTR-ND
SP001554234
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF7389TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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