SI2369DS-T1-GE3
Número de pieza:
SI2369DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18876 Pieces
Ficha de datos:
SI2369DS-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-236
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:29 mOhm @ 5.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:SI2369DS-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:SI2369DS-T1-GE3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1295pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount TO-236
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.6A (Tc)
Email:[email protected]

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