SI5424DC-T1-E3
SI5424DC-T1-E3
Número de pieza:
SI5424DC-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16748 Pieces
Ficha de datos:
SI5424DC-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 4.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:SI5424DC-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:SI5424DC-T1-E3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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