Comprar SI2367DS-T1-GE3 con BYCHPS
Compre con garantía
SI2367DS-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI2367DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13650 Pieces
- Ficha de datos:
- SI2367DS-T1-GE3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para SI2367DS-T1-GE3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para SI2367DS-T1-GE3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | SI2367DS-T1-GE3-ND SI2367DS-T1-GE3TR SI2367DST1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SI2367DS-T1-GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 561pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 23nC @ 8V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI2367DS-T1-GE3
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog