BSP603S2LHUMA1
BSP603S2LHUMA1
Número de pieza:
BSP603S2LHUMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
16002 Pieces
Ficha de datos:
BSP603S2LHUMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 50µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-SOT223-4
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:33 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:BSP603S2L
BSP603S2L-ND
BSP603S2LT
SP000013597
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BSP603S2LHUMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1390pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:42nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 5.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.2A (Ta)
Email:[email protected]

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