Comprar IPD30N06S2-15 con BYCHPS
Compre con garantía
IPD30N06S2-15
- Número de pieza:
- IPD30N06S2-15
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16098 Pieces
- Ficha de datos:
- IPD30N06S2-15.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPD30N06S2-15, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPD30N06S2-15 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 80µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 14.7 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 136W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | IPD30N06S2-15DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IPD30N06S2-15 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1485pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IPD30N06S2-15
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N06S2L23ATMA3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N06S223ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N06S4L23ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N06S215ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N06S223ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N06S2L23ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N06S2L13ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | Investigación |
|
IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog