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RUU002N05T106
- Número de pieza:
- RUU002N05T106
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12731 Pieces
- Ficha de datos:
- RUU002N05T106.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RUU002N05T106, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RUU002N05T106 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | UMT3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 200mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-70, SOT-323 |
| Otros nombres: | RUU002N05T106-ND RUU002N05T106TR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | RUU002N05T106 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 50V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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