Comprar IRLR3303PBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | D-Pak |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 31 mOhm @ 21A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 68W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres: | SP001558428 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRLR3303PBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 870pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 35A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |