IRLR3303PBF
Número de pieza:
IRLR3303PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13029 Pieces
Ficha de datos:
IRLR3303PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:31 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo):68W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP001558428
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRLR3303PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:870pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 35A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
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