Comprar IXTP08N50D2 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | - |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.6 Ohm @ 400mA, 0V |
La disipación de energía (máximo): | 60W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IXTP08N50D2 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 312pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12.7nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | Depletion Mode |
Descripción ampliada: | N-Channel 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 500V |
Descripción: | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Tc) |
Email: | [email protected] |