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RJM0603JSC-00#12
- Número de pieza:
- RJM0603JSC-00#12
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descripción:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12972 Pieces
- Ficha de datos:
- RJM0603JSC-00#12.pdf
Introducción
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Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 20-HSOP |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Potencia - Max: | 54W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | RJM0603JSC-00#12 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Tipo FET: | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
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