Comprar NTLGD3502NT1G con BYCHPS
Compre con garantía
NTLGD3502NT1G
- Número de pieza:
- NTLGD3502NT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16223 Pieces
- Ficha de datos:
- NTLGD3502NT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTLGD3502NT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTLGD3502NT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 6-DFN (3x3) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 1.74W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | NTLGD3502NT1G-ND NTLGD3502NT1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTLGD3502NT1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 480pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.3A, 3.6A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTLGD3502NT1G
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | Investigación |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | Investigación |
 |
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | Investigación |
 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | Investigación |
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | Investigación |
 |
NTLGD3502NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | Investigación |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | Investigación |
 |
SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | Investigación |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | Investigación |
|
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog