IRF7910TRPBF
IRF7910TRPBF
Número de pieza:
IRF7910TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15876 Pieces
Ficha de datos:
IRF7910TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:15 mOhm @ 8A, 4.5V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:IRF7910TRPBF-ND
IRF7910TRPBFTR
SP001565662
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF7910TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1730pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A
Email:sales@bychips.com

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