IRF7901D1TR
IRF7901D1TR
Número de pieza:
IRF7901D1TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15701 Pieces
Ficha de datos:
IRF7901D1TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs:38 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max:2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7901D1TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:780pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.2A
Email:[email protected]

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