RFN3BM6STL
RFN3BM6STL
Número de pieza:
RFN3BM6STL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13699 Pieces
Ficha de datos:
RFN3BM6STL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.55V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):600V
Paquete del dispositivo:TO-252
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):30ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:RFN3BM6STLTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:150°C (Max)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RFN3BM6STL
Descripción ampliada:Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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