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RFN3BM6STL
- Número de pieza:
- RFN3BM6STL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13699 Pieces
- Ficha de datos:
- RFN3BM6STL.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para RFN3BM6STL, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para RFN3BM6STL por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.55V @ 3A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | TO-252 |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 30ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | RFN3BM6STLTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | RFN3BM6STL |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 3A TO252 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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