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JAN1N5814
- Número de pieza:
- JAN1N5814
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 17730 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN1N5814.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN1N5814, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN1N5814 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 950mV @ 20A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | DO-203AA (DO-4) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 35ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres: | 1086-15835 1086-15835-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N5814 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 20A |
| Capacitancia Vr, F: | 300pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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