RFN3BM2SFHTL
RFN3BM2SFHTL
Número de pieza:
RFN3BM2SFHTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15142 Pieces
Ficha de datos:
RFN3BM2SFHTL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:980mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:TO-252
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr):25ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:RFN3BM2SFHTLTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:150°C (Max)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:RFN3BM2SFHTL
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io):3A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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