R6020FNJTL
R6020FNJTL
Número de pieza:
R6020FNJTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17525 Pieces
Ficha de datos:
R6020FNJTL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LPTS
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:280 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SC-83
Otros nombres:R6020FNJTLDKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:17 Weeks
Número de pieza del fabricante:R6020FNJTL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 20A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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