STD11NM50N
STD11NM50N
Número de pieza:
STD11NM50N
Fabricante:
ST
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18517 Pieces
Ficha de datos:
STD11NM50N.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs:470 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):70W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:497-10567-2
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:STD11NM50N
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:547pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
Email:[email protected]

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