R6004ENX
R6004ENX
Número de pieza:
R6004ENX
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19953 Pieces
Ficha de datos:
R6004ENX.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para R6004ENX, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para R6004ENX por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar R6004ENX con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220FM
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:980 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):40W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:R6004ENXCT
R6004ENXCT-ND
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:17 Weeks
Número de pieza del fabricante:R6004ENX
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 4A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios
Loading...