R6004ENJTL
R6004ENJTL
Número de pieza:
R6004ENJTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 4A LPT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18105 Pieces
Ficha de datos:
R6004ENJTL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LPTS (D2PAK)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:980 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):40W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:R6004ENJTLDKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:17 Weeks
Número de pieza del fabricante:R6004ENJTL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 4A LPT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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