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FQE10N20CTU
- Número de pieza:
- FQE10N20CTU
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16114 Pieces
- Ficha de datos:
- FQE10N20CTU.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FQE10N20CTU, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FQE10N20CTU por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-126 |
| Serie: | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 360 mOhm @ 2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 12.8W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | FQE10N20CTU |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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